Examinando por Autor "Garmendia Olivares, Amelia"

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    Electrodeposición y caracterización de óxidos de cobre, indio y hierro en dimetil sulfóxido
    (Universidad de Valparaíso, 2013) Garmendia Olivares, Amelia; Riveros Patroni, Gonzalo (Director de tesis)
    En este trabajo se realizó la electrodeposición y caracterización de óxidos metálicos M⁽ᴵ⁾₂O (Mᴵ = Cu) y M⁽ᴵᴵᴵ⁾₂O₃(Mᴵᴵᴵ= Fe, In) desde soluciones de Cu(ClO₄)₂, InCl₃ y FeCl₃ sobre un sustrato de FTO, utilizando un solvente no acuoso DMSO (Dimetil- sulfóxido) y como precursor oxígeno molecular. La obtención de estos óxidos genera expectativas sobre la obtención de semiconductores transparentes del tipo-p con estructura delafosita CuM⁽ᴵᴵᴵ⁾O₂ (M⁽ᴵᴵᴵ⁾= In, Fe), desde soluciones de DMSO por métodos electroquímicos. Lo anterior basado en que se lograron obtener películas finas por electrodeposición, las cuales son cristalinas en los casos de Cu₂O y Fe₂O₃, este último sólo con tratamiento térmico. Los valores de band gap para ambos materiales concuerdan con los registrados en la bibliografía, donde los valores obtenidos para las películas de Cu₂O son de transición directa alrededor de 2.25 eV y los obtenidos para las películas de α-Fe₂O₃ para transición directa 2.08 eV e indirecta 2.15 eV. El valor de nivel de dopaje en las películas de Cu₂O a 50ºC es de 8.2x10¹⁸ cm­³ y para las obtenidas a 80ºC son de 2.0x10¹⁹ cm ­³. El valor de portadores mayoritarios donantes de carga obtenidos para las películas de α-Fe₂O₃ son de 1.59 x 10¹⁹ cm­³. En el caso del In₂O₃, las películas formadas fueron extremadamente delgadas, por lo que no se logró una buena caracterización estructural, óptica y electroquímica.