Electrodeposición y caracterización de óxidos de cobre, indio y hierro en dimetil sulfóxido

Fecha

2013

Formato del documento

Tesis

ORCID Autor

Título de la revista

ISSN de la revista

Título del volumen

Editor

Universidad de Valparaíso

ISBN

ISSN

item.page.issne

item.page.doiurl

Departamento o Escuela

Determinador

Recolector

Especie

Nota general

Resumen

En este trabajo se realizó la electrodeposición y caracterización de óxidos metálicos M⁽ᴵ⁾₂O (Mᴵ = Cu) y M⁽ᴵᴵᴵ⁾₂O₃(Mᴵᴵᴵ= Fe, In) desde soluciones de Cu(ClO₄)₂, InCl₃ y FeCl₃ sobre un sustrato de FTO, utilizando un solvente no acuoso DMSO (Dimetil- sulfóxido) y como precursor oxígeno molecular. La obtención de estos óxidos genera expectativas sobre la obtención de semiconductores transparentes del tipo-p con estructura delafosita CuM⁽ᴵᴵᴵ⁾O₂ (M⁽ᴵᴵᴵ⁾= In, Fe), desde soluciones de DMSO por métodos electroquímicos. Lo anterior basado en que se lograron obtener películas finas por electrodeposición, las cuales son cristalinas en los casos de Cu₂O y Fe₂O₃, este último sólo con tratamiento térmico. Los valores de band gap para ambos materiales concuerdan con los registrados en la bibliografía, donde los valores obtenidos para las películas de Cu₂O son de transición directa alrededor de 2.25 eV y los obtenidos para las películas de α-Fe₂O₃ para transición directa 2.08 eV e indirecta 2.15 eV. El valor de nivel de dopaje en las películas de Cu₂O a 50ºC es de 8.2x10¹⁸ cm­³ y para las obtenidas a 80ºC son de 2.0x10¹⁹ cm ­³. El valor de portadores mayoritarios donantes de carga obtenidos para las películas de α-Fe₂O₃ son de 1.59 x 10¹⁹ cm­³. En el caso del In₂O₃, las películas formadas fueron extremadamente delgadas, por lo que no se logró una buena caracterización estructural, óptica y electroquímica.

Descripción

Lugar de Publicación

Auspiciador

Palabras clave

ELECTRODEPOSICION, OXIDOS, SEMICONDUCTORES

Licencia

URL Licencia

Colecciones