Examinando por Autor "Riveros Patroni, Gonzalo (Director de tesis)"
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Ítem Electrodeposición de nanohilos semiconductores de Seleniuro de Cadmio y Sulfuro de Cadmio CdSxSe1-x(Universidad de Valparaíso, 2013) Báez Aguilera, Carla; Riveros Patroni, Gonzalo (Director de tesis)Debido a las altas demandas energéticas en los últimos años a nivel nacional y mundial, es de gran utilidad la creación de nuevas fuentes de energía con la finalidad de compensar los déficits energéticos. En la actualidad existen diversas formas de obtención de energías amigable con el medio ambiente. Una de las fuentes que ha alcanzado un gran auge en los últimos años, es la energía fotovoltaica, la cual se fundamenta en la transformación de la energía solar en energía eléctrica. Esto mediante la uso de celdas fotovoltaica, las cuales son construidas a través de la utilización de semiconductores. Los semiconductores más utilizados para este tipo de tecnología pueden ser intrínsecos como el Si (puro) o elementos dopados con impurezas (esto con la finalidad disminuir la resistividad) denominados extrínsecos y son ejemplos de este tipo de semiconductores CdS y CdSe. Estos semiconductores (CdS y CdSe) han sido ampliamente estudiados debido a sus aplicaciones en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos. En el estudio de nuevos materiales con aplicaciones fotovoltaicas, la formación de mezclas de distintos semiconductores es un tema ampliamente estudiado en la actualidad, debido a la dependencia del band-gap con la composición de las películas formadas. Esto puede llevar a la formación de películas que presenten una mayor absorción del espectro solar, aumentando la eficiencia de los dispositivos fotovoltaicos convencionales. De esta manera lo que tiene como finalidad este trabajo es la formación electroquímica y la caracterización de nanohilos de CdSX-Se(1-X), primeramente sobre FTO (SnO2:F) y posteriormente sobre membranas de alúmina porosa. A partir de soluciones ácidas de composición variable obteniendo películas de composición variada de S-Se. Las películas CdSXSe(1-X) fueron obtenidas potenciostáticamente a una temperatura de 50 °C y a un valor de potencial de -0,640 V. Las películas obtenidas fueron analizadas por medio de diferentes técnicas (XRD, SEM-EDS, XPS y Espectrómetro UV-Visible).Ítem Electrodeposición y caracterización de óxidos de cobre, indio y hierro en dimetil sulfóxido(Universidad de Valparaíso, 2013) Garmendia Olivares, Amelia; Riveros Patroni, Gonzalo (Director de tesis)En este trabajo se realizó la electrodeposición y caracterización de óxidos metálicos M⁽ᴵ⁾₂O (Mᴵ = Cu) y M⁽ᴵᴵᴵ⁾₂O₃(Mᴵᴵᴵ= Fe, In) desde soluciones de Cu(ClO₄)₂, InCl₃ y FeCl₃ sobre un sustrato de FTO, utilizando un solvente no acuoso DMSO (Dimetil- sulfóxido) y como precursor oxígeno molecular. La obtención de estos óxidos genera expectativas sobre la obtención de semiconductores transparentes del tipo-p con estructura delafosita CuM⁽ᴵᴵᴵ⁾O₂ (M⁽ᴵᴵᴵ⁾= In, Fe), desde soluciones de DMSO por métodos electroquímicos. Lo anterior basado en que se lograron obtener películas finas por electrodeposición, las cuales son cristalinas en los casos de Cu₂O y Fe₂O₃, este último sólo con tratamiento térmico. Los valores de band gap para ambos materiales concuerdan con los registrados en la bibliografía, donde los valores obtenidos para las películas de Cu₂O son de transición directa alrededor de 2.25 eV y los obtenidos para las películas de α-Fe₂O₃ para transición directa 2.08 eV e indirecta 2.15 eV. El valor de nivel de dopaje en las películas de Cu₂O a 50ºC es de 8.2x10¹⁸ cm³ y para las obtenidas a 80ºC son de 2.0x10¹⁹ cm ³. El valor de portadores mayoritarios donantes de carga obtenidos para las películas de α-Fe₂O₃ son de 1.59 x 10¹⁹ cm³. En el caso del In₂O₃, las películas formadas fueron extremadamente delgadas, por lo que no se logró una buena caracterización estructural, óptica y electroquímica.