3.4/4.0 GHz Tunable Resonant Cavity in SIW Technology Using Metal Post and PIN Diode on a Low-Cost Biasing Network for 5G Applications

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Fecha

2020

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BIBLIOGRAFIA 5G
39
2
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MendeleyEndNoteBibTeXCSV

Autores

Caleffo, Ricardo Caranicola , Correra, Fatima Salete

Profesor Guía

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Título del volumen

Editor

Journal of Microwaves, Optoelectronics and Electromagnetic Applications

Ubicación

https://doi.org/10.1590/2179-10742020v19i11881

ISBN

ISSN

2179-1074

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DOI

URI

http://repositoriobibliotecas.uv.cl/handle/uvscl/3112

Facultad

Departamento o Escuela

Determinador

Recolector

Especie

Nota general

Resumen

This paper presents a dual-band resonant cavity in Substrate Integrated Waveguide (SIW) technology to operate in the range from 3.3 GHz to 4.2 GHz, spectrum considered for the Fifth Generation (5G) ne...

Descripción

Lugar de Publicación

Auspiciador

Palabras clave

BIASING NETWORK , SIW TECHNOLOGY , TUNABLE CIRCUITS , 5G FREQUENCIES

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